Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
JAN1N5615US

JAN1N5615US

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
Číslo dílu
JAN1N5615US
Výrobce/značka
Série
Military, MIL-PRF-19500/429
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SQ-MELF, A
Dodavatelský balíček zařízení
D-5A
Typ diody
Standard
Aktuální – Opravený průměr (Io)
1A
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
800mV @ 3A
Proud - Reverzní únik @ Vr
500µA @ 200V
Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)
200V
Rychlost
Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverzní doba zotavení (trr)
150ns
Provozní teplota - křižovatka
-65°C ~ 200°C
Kapacita @ Vr, F
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5846 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova JAN1N5615US
JAN1N5615US Elektronické komponenty
JAN1N5615US Odbyt
JAN1N5615US Dodavatel
JAN1N5615US Distributor
JAN1N5615US Datová tabulka
JAN1N5615US Fotky
JAN1N5615US Cena
JAN1N5615US Nabídka
JAN1N5615US Nejnižší cena
JAN1N5615US Vyhledávání
JAN1N5615US Nákup
JAN1N5615US Chip