Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
JAN1N5417US
DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Číslo dílu
JAN1N5417US
Výrobce/značka
Série
Military, MIL-PRF-19500/411
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SQ-MELF, B
Dodavatelský balíček zařízení
B, SQ-MELF
Typ diody
Standard
Aktuální – Opravený průměr (Io)
3A
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
1.5V @ 9A
Proud - Reverzní únik @ Vr
1µA @ 200V
Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)
200V
Rychlost
Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverzní doba zotavení (trr)
150ns
Provozní teplota - křižovatka
-65°C ~ 175°C
Kapacita @ Vr, F
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15611 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova JAN1N5417US
JAN1N5417US Elektronické komponenty
JAN1N5417US Odbyt
JAN1N5417US Dodavatel
JAN1N5417US Distributor
JAN1N5417US Datová tabulka
JAN1N5417US Fotky
JAN1N5417US Cena
JAN1N5417US Nabídka
JAN1N5417US Nejnižší cena
JAN1N5417US Vyhledávání
JAN1N5417US Nákup
JAN1N5417US Chip