Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM10UM01FAG
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Číslo dílu
APTM10UM01FAG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP6
Dodavatelský balíček zařízení
SP6
Ztráta energie (max.)
2500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
860A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 mOhm @ 275A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 12mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32598 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM10UM01FAG
APTM10UM01FAG Elektronické komponenty
APTM10UM01FAG Odbyt
APTM10UM01FAG Dodavatel
APTM10UM01FAG Distributor
APTM10UM01FAG Datová tabulka
APTM10UM01FAG Fotky
APTM10UM01FAG Cena
APTM10UM01FAG Nabídka
APTM10UM01FAG Nejnižší cena
APTM10UM01FAG Vyhledávání
APTM10UM01FAG Nákup
APTM10UM01FAG Chip