Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM100UM45DAG
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Číslo dílu
APTM100UM45DAG
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 7®
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP6
Dodavatelský balíček zařízení
SP6
Ztráta energie (max.)
5000W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
215A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
52 mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 30mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1602nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
42700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36739 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM100UM45DAG
APTM100UM45DAG Elektronické komponenty
APTM100UM45DAG Odbyt
APTM100UM45DAG Dodavatel
APTM100UM45DAG Distributor
APTM100UM45DAG Datová tabulka
APTM100UM45DAG Fotky
APTM100UM45DAG Cena
APTM100UM45DAG Nabídka
APTM100UM45DAG Nejnižší cena
APTM100UM45DAG Vyhledávání
APTM100UM45DAG Nákup
APTM100UM45DAG Chip