Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM100DA18CT1G
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Číslo dílu
APTM100DA18CT1G
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP1
Dodavatelský balíček zařízení
SP1
Ztráta energie (max.)
657W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
570nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42588 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM100DA18CT1G
APTM100DA18CT1G Elektronické komponenty
APTM100DA18CT1G Odbyt
APTM100DA18CT1G Dodavatel
APTM100DA18CT1G Distributor
APTM100DA18CT1G Datová tabulka
APTM100DA18CT1G Fotky
APTM100DA18CT1G Cena
APTM100DA18CT1G Nabídka
APTM100DA18CT1G Nejnižší cena
APTM100DA18CT1G Vyhledávání
APTM100DA18CT1G Nákup
APTM100DA18CT1G Chip