Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM100A46FT1G
MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
Číslo dílu
APTM100A46FT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP1
Výkon - Max
357W
Dodavatelský balíček zařízení
SP1
Typ FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V (1kV)
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10915 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM100A46FT1G
APTM100A46FT1G Elektronické komponenty
APTM100A46FT1G Odbyt
APTM100A46FT1G Dodavatel
APTM100A46FT1G Distributor
APTM100A46FT1G Datová tabulka
APTM100A46FT1G Fotky
APTM100A46FT1G Cena
APTM100A46FT1G Nabídka
APTM100A46FT1G Nejnižší cena
APTM100A46FT1G Vyhledávání
APTM100A46FT1G Nákup
APTM100A46FT1G Chip