Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT9F100S
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Číslo dílu
APT9F100S
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
D3Pak
Ztráta energie (max.)
337W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2606pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33574 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT9F100S
APT9F100S Elektronické komponenty
APT9F100S Odbyt
APT9F100S Dodavatel
APT9F100S Distributor
APT9F100S Datová tabulka
APT9F100S Fotky
APT9F100S Cena
APT9F100S Nabídka
APT9F100S Nejnižší cena
APT9F100S Vyhledávání
APT9F100S Nákup
APT9F100S Chip