Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT80SM120B
POWER MOSFET - SIC
Číslo dílu
APT80SM120B
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
555W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
VGS (max.)
+25V, -10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43636 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT80SM120B
APT80SM120B Elektronické komponenty
APT80SM120B Odbyt
APT80SM120B Dodavatel
APT80SM120B Distributor
APT80SM120B Datová tabulka
APT80SM120B Fotky
APT80SM120B Cena
APT80SM120B Nabídka
APT80SM120B Nejnižší cena
APT80SM120B Vyhledávání
APT80SM120B Nákup
APT80SM120B Chip