Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT66M60B2
MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
Číslo dílu
APT66M60B2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3 Variant
Dodavatelský balíček zařízení
T-MAX™ [B2]
Ztráta energie (max.)
1135W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
330nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13190pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8458 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT66M60B2
APT66M60B2 Elektronické komponenty
APT66M60B2 Odbyt
APT66M60B2 Dodavatel
APT66M60B2 Distributor
APT66M60B2 Datová tabulka
APT66M60B2 Fotky
APT66M60B2 Cena
APT66M60B2 Nabídka
APT66M60B2 Nejnižší cena
APT66M60B2 Vyhledávání
APT66M60B2 Nákup
APT66M60B2 Chip