Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT58M80J
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
Číslo dílu
APT58M80J
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60W (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
570nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
17550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45434 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT58M80J
APT58M80J Elektronické komponenty
APT58M80J Odbyt
APT58M80J Dodavatel
APT58M80J Distributor
APT58M80J Datová tabulka
APT58M80J Fotky
APT58M80J Cena
APT58M80J Nabídka
APT58M80J Nejnižší cena
APT58M80J Vyhledávání
APT58M80J Nákup
APT58M80J Chip