Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT58M50JU3

APT58M50JU3

MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
Číslo dílu
APT58M50JU3
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227
Ztráta energie (max.)
543W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
340nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42234 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova APT58M50JU3
APT58M50JU3 Elektronické komponenty
APT58M50JU3 Odbyt
APT58M50JU3 Dodavatel
APT58M50JU3 Distributor
APT58M50JU3 Datová tabulka
APT58M50JU3 Fotky
APT58M50JU3 Cena
APT58M50JU3 Nabídka
APT58M50JU3 Nejnižší cena
APT58M50JU3 Vyhledávání
APT58M50JU3 Nákup
APT58M50JU3 Chip