Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT53F80J
MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227
Číslo dílu
APT53F80J
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
570nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
17550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40598 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT53F80J
APT53F80J Elektronické komponenty
APT53F80J Odbyt
APT53F80J Dodavatel
APT53F80J Distributor
APT53F80J Datová tabulka
APT53F80J Fotky
APT53F80J Cena
APT53F80J Nabídka
APT53F80J Nejnižší cena
APT53F80J Vyhledávání
APT53F80J Nákup
APT53F80J Chip