Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT41M80B2
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
Číslo dílu
APT41M80B2
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3 Variant
Dodavatelský balíček zařízení
T-MAX™ [B2]
Ztráta energie (max.)
1040W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
210 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8070pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16461 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT41M80B2
APT41M80B2 Elektronické komponenty
APT41M80B2 Odbyt
APT41M80B2 Dodavatel
APT41M80B2 Distributor
APT41M80B2 Datová tabulka
APT41M80B2 Fotky
APT41M80B2 Cena
APT41M80B2 Nabídka
APT41M80B2 Nejnižší cena
APT41M80B2 Vyhledávání
APT41M80B2 Nákup
APT41M80B2 Chip