Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT34N80B2C3G
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Číslo dílu
APT34N80B2C3G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3 Variant
Dodavatelský balíček zařízení
T-MAX™ [B2]
Ztráta energie (max.)
417W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
145 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
355nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4510pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5178 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT34N80B2C3G
APT34N80B2C3G Elektronické komponenty
APT34N80B2C3G Odbyt
APT34N80B2C3G Dodavatel
APT34N80B2C3G Distributor
APT34N80B2C3G Datová tabulka
APT34N80B2C3G Fotky
APT34N80B2C3G Cena
APT34N80B2C3G Nabídka
APT34N80B2C3G Nejnižší cena
APT34N80B2C3G Vyhledávání
APT34N80B2C3G Nákup
APT34N80B2C3G Chip