Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT31M100L
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
Číslo dílu
APT31M100L
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264
Ztráta energie (max.)
1040W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18999 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT31M100L
APT31M100L Elektronické komponenty
APT31M100L Odbyt
APT31M100L Dodavatel
APT31M100L Distributor
APT31M100L Datová tabulka
APT31M100L Fotky
APT31M100L Cena
APT31M100L Nabídka
APT31M100L Nejnižší cena
APT31M100L Vyhledávání
APT31M100L Nákup
APT31M100L Chip