Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT30F50B
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Číslo dílu
APT30F50B
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 [B]
Ztráta energie (max.)
415W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
115nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4525pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45911 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT30F50B
APT30F50B Elektronické komponenty
APT30F50B Odbyt
APT30F50B Dodavatel
APT30F50B Distributor
APT30F50B Datová tabulka
APT30F50B Fotky
APT30F50B Cena
APT30F50B Nabídka
APT30F50B Nejnižší cena
APT30F50B Vyhledávání
APT30F50B Nákup
APT30F50B Chip