Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT29F80J
MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
Číslo dílu
APT29F80J
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
543W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
210 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
303nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9326pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17141 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT29F80J
APT29F80J Elektronické komponenty
APT29F80J Odbyt
APT29F80J Dodavatel
APT29F80J Distributor
APT29F80J Datová tabulka
APT29F80J Fotky
APT29F80J Cena
APT29F80J Nabídka
APT29F80J Nejnižší cena
APT29F80J Vyhledávání
APT29F80J Nákup
APT29F80J Chip