Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT29F100B2
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Číslo dílu
APT29F100B2
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3 Variant
Dodavatelský balíček zařízení
T-MAX™ [B2]
Ztráta energie (max.)
1040W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
440 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48888 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT29F100B2
APT29F100B2 Elektronické komponenty
APT29F100B2 Odbyt
APT29F100B2 Dodavatel
APT29F100B2 Distributor
APT29F100B2 Datová tabulka
APT29F100B2 Fotky
APT29F100B2 Cena
APT29F100B2 Nabídka
APT29F100B2 Nejnižší cena
APT29F100B2 Vyhledávání
APT29F100B2 Nákup
APT29F100B2 Chip