Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT28M120L
MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
Číslo dílu
APT28M120L
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 [L]
Ztráta energie (max.)
1135W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
530 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9670pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18565 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT28M120L
APT28M120L Elektronické komponenty
APT28M120L Odbyt
APT28M120L Dodavatel
APT28M120L Distributor
APT28M120L Datová tabulka
APT28M120L Fotky
APT28M120L Cena
APT28M120L Nabídka
APT28M120L Nejnižší cena
APT28M120L Vyhledávání
APT28M120L Nákup
APT28M120L Chip