Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT28M120B2
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Číslo dílu
APT28M120B2
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3 Variant
Dodavatelský balíček zařízení
T-MAX™ [B2]
Ztráta energie (max.)
1135W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
560 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9670pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50830 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT28M120B2
APT28M120B2 Elektronické komponenty
APT28M120B2 Odbyt
APT28M120B2 Dodavatel
APT28M120B2 Distributor
APT28M120B2 Datová tabulka
APT28M120B2 Fotky
APT28M120B2 Cena
APT28M120B2 Nabídka
APT28M120B2 Nejnižší cena
APT28M120B2 Vyhledávání
APT28M120B2 Nákup
APT28M120B2 Chip