Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT25M100J
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Číslo dílu
APT25M100J
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
545W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
330 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
305nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9835pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54503 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT25M100J
APT25M100J Elektronické komponenty
APT25M100J Odbyt
APT25M100J Dodavatel
APT25M100J Distributor
APT25M100J Datová tabulka
APT25M100J Fotky
APT25M100J Cena
APT25M100J Nabídka
APT25M100J Nejnižší cena
APT25M100J Vyhledávání
APT25M100J Nákup
APT25M100J Chip