Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT20M19JVR

APT20M19JVR

MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227
Číslo dílu
APT20M19JVR
Výrobce/značka
Série
POWER MOS V®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
112A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
19 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
495nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11640pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51643 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova APT20M19JVR
APT20M19JVR Elektronické komponenty
APT20M19JVR Odbyt
APT20M19JVR Dodavatel
APT20M19JVR Distributor
APT20M19JVR Datová tabulka
APT20M19JVR Fotky
APT20M19JVR Cena
APT20M19JVR Nabídka
APT20M19JVR Nejnižší cena
APT20M19JVR Vyhledávání
APT20M19JVR Nákup
APT20M19JVR Chip