Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT19M120J
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
Číslo dílu
APT19M120J
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
545W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
530 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9670pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23038 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT19M120J
APT19M120J Elektronické komponenty
APT19M120J Odbyt
APT19M120J Dodavatel
APT19M120J Distributor
APT19M120J Datová tabulka
APT19M120J Fotky
APT19M120J Cena
APT19M120J Nabídka
APT19M120J Nejnižší cena
APT19M120J Vyhledávání
APT19M120J Nákup
APT19M120J Chip