Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT18M80B
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
Číslo dílu
APT18M80B
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 [B]
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
530 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3760pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43909 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT18M80B
APT18M80B Elektronické komponenty
APT18M80B Odbyt
APT18M80B Dodavatel
APT18M80B Distributor
APT18M80B Datová tabulka
APT18M80B Fotky
APT18M80B Cena
APT18M80B Nabídka
APT18M80B Nejnižší cena
APT18M80B Vyhledávání
APT18M80B Nákup
APT18M80B Chip