Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT17F80B
MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
Číslo dílu
APT17F80B
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 [B]
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
580 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
122nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3757pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43035 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT17F80B
APT17F80B Elektronické komponenty
APT17F80B Odbyt
APT17F80B Dodavatel
APT17F80B Distributor
APT17F80B Datová tabulka
APT17F80B Fotky
APT17F80B Cena
APT17F80B Nabídka
APT17F80B Nejnižší cena
APT17F80B Vyhledávání
APT17F80B Nákup
APT17F80B Chip