Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT17F120J
MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
Číslo dílu
APT17F120J
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
545W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
580 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9670pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44024 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT17F120J
APT17F120J Elektronické komponenty
APT17F120J Odbyt
APT17F120J Dodavatel
APT17F120J Distributor
APT17F120J Datová tabulka
APT17F120J Fotky
APT17F120J Cena
APT17F120J Nabídka
APT17F120J Nejnižší cena
APT17F120J Vyhledávání
APT17F120J Nákup
APT17F120J Chip