Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT11N80BC3G
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Číslo dílu
APT11N80BC3G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 [B]
Ztráta energie (max.)
156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 680µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1585pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41961 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT11N80BC3G
APT11N80BC3G Elektronické komponenty
APT11N80BC3G Odbyt
APT11N80BC3G Dodavatel
APT11N80BC3G Distributor
APT11N80BC3G Datová tabulka
APT11N80BC3G Fotky
APT11N80BC3G Cena
APT11N80BC3G Nabídka
APT11N80BC3G Nejnižší cena
APT11N80BC3G Vyhledávání
APT11N80BC3G Nákup
APT11N80BC3G Chip