Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APT10M11B2VFRG
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Číslo dílu
APT10M11B2VFRG
Výrobce/značka
Série
POWER MOS V®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3 Variant
Dodavatelský balíček zařízení
T-MAX™
Ztráta energie (max.)
520W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
450nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47859 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APT10M11B2VFRG
APT10M11B2VFRG Elektronické komponenty
APT10M11B2VFRG Odbyt
APT10M11B2VFRG Dodavatel
APT10M11B2VFRG Distributor
APT10M11B2VFRG Datová tabulka
APT10M11B2VFRG Fotky
APT10M11B2VFRG Cena
APT10M11B2VFRG Nabídka
APT10M11B2VFRG Nejnižší cena
APT10M11B2VFRG Vyhledávání
APT10M11B2VFRG Nákup
APT10M11B2VFRG Chip