Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MMIX1F420N10T
MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
Číslo dílu
MMIX1F420N10T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
24-PowerSMD, 21 Leads
Dodavatelský balíček zařízení
24-SMPD
Ztráta energie (max.)
680W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
334A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
670nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25452 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MMIX1F420N10T
MMIX1F420N10T Elektronické komponenty
MMIX1F420N10T Odbyt
MMIX1F420N10T Dodavatel
MMIX1F420N10T Distributor
MMIX1F420N10T Datová tabulka
MMIX1F420N10T Fotky
MMIX1F420N10T Cena
MMIX1F420N10T Nabídka
MMIX1F420N10T Nejnižší cena
MMIX1F420N10T Vyhledávání
MMIX1F420N10T Nákup
MMIX1F420N10T Chip