Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTX32P60P
MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
Číslo dílu
IXTX32P60P
Výrobce/značka
Série
PolarP™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
890W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
196nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30716 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTX32P60P
IXTX32P60P Elektronické komponenty
IXTX32P60P Odbyt
IXTX32P60P Dodavatel
IXTX32P60P Distributor
IXTX32P60P Datová tabulka
IXTX32P60P Fotky
IXTX32P60P Cena
IXTX32P60P Nabídka
IXTX32P60P Nejnižší cena
IXTX32P60P Vyhledávání
IXTX32P60P Nákup
IXTX32P60P Chip