Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTT30N60L2
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
Číslo dílu
IXTT30N60L2
Výrobce/značka
Série
Linear L2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
335nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50031 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTT30N60L2
IXTT30N60L2 Elektronické komponenty
IXTT30N60L2 Odbyt
IXTT30N60L2 Dodavatel
IXTT30N60L2 Distributor
IXTT30N60L2 Datová tabulka
IXTT30N60L2 Fotky
IXTT30N60L2 Cena
IXTT30N60L2 Nabídka
IXTT30N60L2 Nejnižší cena
IXTT30N60L2 Vyhledávání
IXTT30N60L2 Nákup
IXTT30N60L2 Chip