Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTT120N15P
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
Číslo dílu
IXTT120N15P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52144 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTT120N15P
IXTT120N15P Elektronické komponenty
IXTT120N15P Odbyt
IXTT120N15P Dodavatel
IXTT120N15P Distributor
IXTT120N15P Datová tabulka
IXTT120N15P Fotky
IXTT120N15P Cena
IXTT120N15P Nabídka
IXTT120N15P Nejnižší cena
IXTT120N15P Vyhledávání
IXTT120N15P Nákup
IXTT120N15P Chip