Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTP52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
Číslo dílu
IXTP52P10P
Výrobce/značka
Série
PolarP™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2845pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46102 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTP52P10P
IXTP52P10P Elektronické komponenty
IXTP52P10P Odbyt
IXTP52P10P Dodavatel
IXTP52P10P Distributor
IXTP52P10P Datová tabulka
IXTP52P10P Fotky
IXTP52P10P Cena
IXTP52P10P Nabídka
IXTP52P10P Nejnižší cena
IXTP52P10P Vyhledávání
IXTP52P10P Nákup
IXTP52P10P Chip