Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTP3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
Číslo dílu
IXTP3N60P
Výrobce/značka
Série
PolarHV™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
70W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
411pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46228 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTP3N60P
IXTP3N60P Elektronické komponenty
IXTP3N60P Odbyt
IXTP3N60P Dodavatel
IXTP3N60P Distributor
IXTP3N60P Datová tabulka
IXTP3N60P Fotky
IXTP3N60P Cena
IXTP3N60P Nabídka
IXTP3N60P Nejnižší cena
IXTP3N60P Vyhledávání
IXTP3N60P Nákup
IXTP3N60P Chip