Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTP36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
Číslo dílu
IXTP36N30P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5158 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTP36N30P
IXTP36N30P Elektronické komponenty
IXTP36N30P Odbyt
IXTP36N30P Dodavatel
IXTP36N30P Distributor
IXTP36N30P Datová tabulka
IXTP36N30P Fotky
IXTP36N30P Cena
IXTP36N30P Nabídka
IXTP36N30P Nejnižší cena
IXTP36N30P Vyhledávání
IXTP36N30P Nákup
IXTP36N30P Chip