Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTN660N04T4
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
Číslo dílu
IXTN660N04T4
Výrobce/značka
Série
TrenchT4™
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
1040W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Current Sensing
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
660A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.85 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
860nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
44000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24119 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTN660N04T4
IXTN660N04T4 Elektronické komponenty
IXTN660N04T4 Odbyt
IXTN660N04T4 Dodavatel
IXTN660N04T4 Distributor
IXTN660N04T4 Datová tabulka
IXTN660N04T4 Fotky
IXTN660N04T4 Cena
IXTN660N04T4 Nabídka
IXTN660N04T4 Nejnižší cena
IXTN660N04T4 Vyhledávání
IXTN660N04T4 Nákup
IXTN660N04T4 Chip