Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTN550N055T2
MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
Číslo dílu
IXTN550N055T2
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™, TrenchT2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
940W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
550A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
595nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
40000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25311 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTN550N055T2
IXTN550N055T2 Elektronické komponenty
IXTN550N055T2 Odbyt
IXTN550N055T2 Dodavatel
IXTN550N055T2 Distributor
IXTN550N055T2 Datová tabulka
IXTN550N055T2 Fotky
IXTN550N055T2 Cena
IXTN550N055T2 Nabídka
IXTN550N055T2 Nejnižší cena
IXTN550N055T2 Vyhledávání
IXTN550N055T2 Nákup
IXTN550N055T2 Chip