Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTN210P10T
MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
Číslo dílu
IXTN210P10T
Výrobce/značka
Série
TrenchP™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
830W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
740nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
69500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47744 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTN210P10T
IXTN210P10T Elektronické komponenty
IXTN210P10T Odbyt
IXTN210P10T Dodavatel
IXTN210P10T Distributor
IXTN210P10T Datová tabulka
IXTN210P10T Fotky
IXTN210P10T Cena
IXTN210P10T Nabídka
IXTN210P10T Nejnižší cena
IXTN210P10T Vyhledávání
IXTN210P10T Nákup
IXTN210P10T Chip