Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTM67N10
POWER MOSFET TO-3
Číslo dílu
IXTM67N10
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-204AE
Dodavatelský balíček zařízení
TO-204AE
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14726 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTM67N10
IXTM67N10 Elektronické komponenty
IXTM67N10 Odbyt
IXTM67N10 Dodavatel
IXTM67N10 Distributor
IXTM67N10 Datová tabulka
IXTM67N10 Fotky
IXTM67N10 Cena
IXTM67N10 Nabídka
IXTM67N10 Nejnižší cena
IXTM67N10 Vyhledávání
IXTM67N10 Nákup
IXTM67N10 Chip