Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTM50N20
POWER MOSFET TO-3
Číslo dílu
IXTM50N20
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-204AE
Dodavatelský balíček zařízení
TO-204AE
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22377 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTM50N20
IXTM50N20 Elektronické komponenty
IXTM50N20 Odbyt
IXTM50N20 Dodavatel
IXTM50N20 Distributor
IXTM50N20 Datová tabulka
IXTM50N20 Fotky
IXTM50N20 Cena
IXTM50N20 Nabídka
IXTM50N20 Nejnižší cena
IXTM50N20 Vyhledávání
IXTM50N20 Nákup
IXTM50N20 Chip