Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTM35N30
POWER MOSFET TO-3
Číslo dílu
IXTM35N30
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-204AE
Dodavatelský balíček zařízení
TO-204AE
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15112 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTM35N30
IXTM35N30 Elektronické komponenty
IXTM35N30 Odbyt
IXTM35N30 Dodavatel
IXTM35N30 Distributor
IXTM35N30 Datová tabulka
IXTM35N30 Fotky
IXTM35N30 Cena
IXTM35N30 Nabídka
IXTM35N30 Nejnižší cena
IXTM35N30 Vyhledávání
IXTM35N30 Nákup
IXTM35N30 Chip