Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK82N25P
MOSFET N-CH 250V 82A TO-264
Číslo dílu
IXTK82N25P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
142nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39914 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTK82N25P
IXTK82N25P Elektronické komponenty
IXTK82N25P Odbyt
IXTK82N25P Dodavatel
IXTK82N25P Distributor
IXTK82N25P Datová tabulka
IXTK82N25P Fotky
IXTK82N25P Cena
IXTK82N25P Nabídka
IXTK82N25P Nejnižší cena
IXTK82N25P Vyhledávání
IXTK82N25P Nákup
IXTK82N25P Chip