Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK75N30

IXTK75N30

MOSFET N-CH 300V 75A TO-264
Číslo dílu
IXTK75N30
Výrobce/značka
Série
MegaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51388 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXTK75N30
IXTK75N30 Elektronické komponenty
IXTK75N30 Odbyt
IXTK75N30 Dodavatel
IXTK75N30 Distributor
IXTK75N30 Datová tabulka
IXTK75N30 Fotky
IXTK75N30 Cena
IXTK75N30 Nabídka
IXTK75N30 Nejnižší cena
IXTK75N30 Vyhledávání
IXTK75N30 Nákup
IXTK75N30 Chip