Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK250N10
MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA
Číslo dílu
IXTK250N10
Výrobce/značka
Série
MegaMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
730W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
250A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
430nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50785 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTK250N10
IXTK250N10 Elektronické komponenty
IXTK250N10 Odbyt
IXTK250N10 Dodavatel
IXTK250N10 Distributor
IXTK250N10 Datová tabulka
IXTK250N10 Fotky
IXTK250N10 Cena
IXTK250N10 Nabídka
IXTK250N10 Nejnižší cena
IXTK250N10 Vyhledávání
IXTK250N10 Nákup
IXTK250N10 Chip