Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK21N100
MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
Číslo dílu
IXTK21N100
Výrobce/značka
Série
MegaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 500µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53567 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTK21N100
IXTK21N100 Elektronické komponenty
IXTK21N100 Odbyt
IXTK21N100 Dodavatel
IXTK21N100 Distributor
IXTK21N100 Datová tabulka
IXTK21N100 Fotky
IXTK21N100 Cena
IXTK21N100 Nabídka
IXTK21N100 Nejnižší cena
IXTK21N100 Vyhledávání
IXTK21N100 Nákup
IXTK21N100 Chip