Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK120N65X2
MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
Číslo dílu
IXTK120N65X2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
1250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50287 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTK120N65X2
IXTK120N65X2 Elektronické komponenty
IXTK120N65X2 Odbyt
IXTK120N65X2 Dodavatel
IXTK120N65X2 Distributor
IXTK120N65X2 Datová tabulka
IXTK120N65X2 Fotky
IXTK120N65X2 Cena
IXTK120N65X2 Nabídka
IXTK120N65X2 Nejnižší cena
IXTK120N65X2 Vyhledávání
IXTK120N65X2 Nákup
IXTK120N65X2 Chip