Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTH20N65X
MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
Číslo dílu
IXTH20N65X
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 (IXTH)
Ztráta energie (max.)
320W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
210 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1390pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28431 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTH20N65X
IXTH20N65X Elektronické komponenty
IXTH20N65X Odbyt
IXTH20N65X Dodavatel
IXTH20N65X Distributor
IXTH20N65X Datová tabulka
IXTH20N65X Fotky
IXTH20N65X Cena
IXTH20N65X Nabídka
IXTH20N65X Nejnižší cena
IXTH20N65X Vyhledávání
IXTH20N65X Nákup
IXTH20N65X Chip