Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTF2N300P3
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXTF2N300P3
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS i4-PAC™
Ztráta energie (max.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
3000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1890pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54924 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTF2N300P3
IXTF2N300P3 Elektronické komponenty
IXTF2N300P3 Odbyt
IXTF2N300P3 Dodavatel
IXTF2N300P3 Distributor
IXTF2N300P3 Datová tabulka
IXTF2N300P3 Fotky
IXTF2N300P3 Cena
IXTF2N300P3 Nabídka
IXTF2N300P3 Nejnižší cena
IXTF2N300P3 Vyhledávání
IXTF2N300P3 Nákup
IXTF2N300P3 Chip