Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTC200N10T
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
Číslo dílu
IXTC200N10T
Výrobce/značka
Série
TrenchMV™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS220™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS220™
Ztráta energie (max.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
101A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40605 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTC200N10T
IXTC200N10T Elektronické komponenty
IXTC200N10T Odbyt
IXTC200N10T Dodavatel
IXTC200N10T Distributor
IXTC200N10T Datová tabulka
IXTC200N10T Fotky
IXTC200N10T Cena
IXTC200N10T Nabídka
IXTC200N10T Nejnižší cena
IXTC200N10T Vyhledávání
IXTC200N10T Nákup
IXTC200N10T Chip