Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTA1R6N100D2HV
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXTA1R6N100D2HV
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263HV
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.6A (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
0V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8784 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV Elektronické komponenty
IXTA1R6N100D2HV Odbyt
IXTA1R6N100D2HV Dodavatel
IXTA1R6N100D2HV Distributor
IXTA1R6N100D2HV Datová tabulka
IXTA1R6N100D2HV Fotky
IXTA1R6N100D2HV Cena
IXTA1R6N100D2HV Nabídka
IXTA1R6N100D2HV Nejnižší cena
IXTA1R6N100D2HV Vyhledávání
IXTA1R6N100D2HV Nákup
IXTA1R6N100D2HV Chip